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STB120NF10T4  与  IPB027N10N3 G  区别

型号 STB120NF10T4 IPB027N10N3 G
唯样编号 A36-STB120NF10T4 A-IPB027N10N3 G
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 0.0105 Ohm Surface Mount STripFET™ II MosFet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.5m Ohms@60A,10V 2.7mΩ@100A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 312W(Tc) 300W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 110A 120A
系列 STripFET™ II -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 233nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A

暂无价格 0 当前型号
BUK969R3-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK969R3-100E_SOT404 N-Channel 263W 175℃ 1.7V 100V 100A

¥11.9705 

阶梯数 价格
200: ¥11.9705
400: ¥9.8119
800: ¥8.5321
0 对比
BUK7610-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7610-100B_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 3V 100V 110A

¥29.6007 

阶梯数 价格
180: ¥29.6007
400: ¥23.1256
800: ¥18.9554
0 对比
IPB027N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB027N10N3GATMA1_TO-263-3 N-Channel 300W 2.7mΩ@100A,10V -55°C~175°C ±20V 100V 120A

暂无价格 0 对比
IRFS4310TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7mΩ@75A,10V N-Channel 100V 130A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFS4410ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A D2PAK

暂无价格 0 对比

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